Поставка модулей транзисторных

Тип извещения Открытый аукцион в электронной форме
Номер извещения 0365100004613000058
Регион Томская область
Наименование Поставка модулей транзисторных
Место публикации ЗАО "Сбербанк-АСТ"
Дата публикации 24 июня 2013 года


Контактная информация

Размещение заказа осуществляется специализированной организацией Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук
Почтовый адрес Российская Федерация, 634055, Томская обл, Томск г, Академический проспект, д. 2/3
Фактический адрес Российская Федерация, 634055, Томская обл, Томск г, пр.Академический, 2/3
Телефон 7-3822-492802
Факс 7-3822-492802
Электронная почта snab@hcei.tsc.ru
Контактное лицо Елькина Татьяна Александровна


Предмет контракта

Предмет контракта Поставка модулей транзисторных
Начальная (максимальная) цена контракта 263,163.00 руб.
Количество товара, объем работ или услуг 1. Модуль МТКИ-1200-33Н (или эквивалент) в количестве 4 (четыре) штуки Наименование параметра Условное обозначение Единица измерения Параметры указанного товара Параметры эквивалентности Напряжение коллектор-эмиттер VCES V 3300 Не менее 3300 Постоянный ток коллектора при Tс = 80 °C IC DC A 1200 Не менее 1200 Импульсный ток коллектора (tp=1мс, Tс = 80 °C) ICM A 2400 Не менее 2400 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat тип. V 3,4 Не более 3,4 Время задержки включения ton тип. ?s 0,64 Не более 0,64 Время задержки выключения td(off) тип. ?s 1,7 Не более 1,7 Время нарастания tf тип. ?s 0,2 Не более 0,2 Максимальная температура перехода Tj max °C 150 Не менее 150 Напряжение изоляции Visol V 6000 Не менее 6000 Габаритные размеры Корпус MI8 MI8 Принципиальная схема: 2. Модуль МТКИД2-200-12 (или эквивалент)в количестве 6 (шесть) штук Техническая характеристика Единица измерения Параметры указанного товара Параметры эквивалентности Напряжение коллектор-эмиттер VCES V 1200 Не менее 1200 Постоянный ток коллектора IC DC A 200 Не менее 200 Импульсный ток коллектора ICM tp=1 ms A 400 Не менее 400 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat тип. V 2,5 Не более 3 Время включения ton тип. ?s 0,19 Не более 0,25 Время выключения td(off) тип. ?s 0,55 Не более 0,6 Время спада tf тип. ?s 0,8 Не более 0,9 Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc °C/W 0,09 Не менее 0,09 Максимальная допустимая температура перехода Tj max °C 150 Не менее 150 Напряжение пробоя изоляции между выводами и основанием (эффективное значение)Visol V 2500 Не менее 2000 Масса Кг. 0,42 Не более 0,42 Корпус МI4 МI4 Поставляемый товар должен соответствовать стандартам и требованиям, предъявляемым к данной категории товаров, быть новым товаром (то есть товаром, который не был в употреблении, не прошел ремонт, в том числе восстановление, замену составных частей, восстановление потребительских свойств), без каких либо ограничений (залог, запрет, арест и т.п.) допущенным к свободному обращению на территории Российской Федерации. Качество товара должно удостоверяться соответствующими документами, предоставляемыми вместе с товаром (технический паспорт, сертификат качества, инструкция по эксплуатации и т.п., предусмотренные законом или иными правовыми актами). Товар должен быть изготовлен не ранее 2012 года. Тара (упаковка) должна обеспечивать сохранность товара при его транспортировке и хранении. Если тара возвратная, то возврат осуществляется силами поставщика и за его счет. Отгрузка товара со склада поставщика производится поставщиком.
ОКДП Транзисторы биполярные
Место поставки товара, выполнения работ или оказания услуг Российская Федерация, 634055, Томская обл, Томск г, пр.Академический, 2/3, -
Срок поставки товара, выполнения работ или оказания услуг поставщик обязан поставить товар в течение 60 (Шестидесяти) календарных дней со дня заключения договора. В случае поставки Товара отдельными партиями, оплата будет производится за каждую принятую партию Товара Заказчиком по качеству и количеству.
Заказчик Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук

Сопутствующая документация

  • ОАЭ-11, ОАЭ-11.doc
  • Извещение, Извещение.doc


Новости
  • В Томской области задержали замначальника исправительной колонии №2

    В Томской области в Асино оперативники задержали замначальника исправительной колонии №2. Он подозревается в злоупотреблении должностными полномочиями, сообщает пресс-служба регионального следственного комитета.

  • В томской школе отменили занятия из-за отключения воды

    В томской школе № 53 из-за отключения холодной воды отменили занятия, сообщили в родительском чате учебного заведения.

Похожие лоты
  • Поставка модулей транзисторных

    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук